導讀：我們想要更多了解LED顯示屏，LED柔性屏等產品，需要從他們的內容深入了解，每個產品的核心在於晶片，而這都是所有產品的大腦，就跟電腦一樣，cpu是核心，沒有它，電腦將無法正常工作，因此我們首先需要了解LED顯示屏晶片的整個知識點，為什麼好的產品都是體現在晶片上的不同!下面就跟隨918博天堂小編來跟大家一起通過問答的形式了解!
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LED晶片大小根據功率可分為小功率晶片、中功率晶片和大功率晶片。根據客戶要求可分為單管級、數碼級、點陣級以及裝飾照明等類別。至於晶片的具體尺寸大小是根據不同晶片生產廠家的實際生產水平而定，沒有具體的要求。只要工藝過關，晶片小可提高單位產出並降低成本，光電性能並不會發生根本變化。
晶片的使用電流實際上與流過晶片的電流密度有關，晶片小使用電流小，晶片大使用電流大，它們的單位電流密度基本差不多。如果10mil晶片的使用電流是20mA的話，那麼40mil晶片理論上使用電流可提高16倍，即320mA。但考慮到散熱是大電流下的主要問題，所以它的發光效率比小電流低。另一方面，由於面積增大，晶片的體電阻會降低，所以正嚮導通電壓會有所下降。
用於白光的LED大功率晶片一般在市場上可以看到的都在40mil左右，所謂的大功率晶片的使用功率一般是指電功率在1W以上。由於量子效率一般小於20?大部分電能會轉換成熱能，所以大功率晶片的散熱很重要，要求晶片有較大的面積。
LED外延生產完成之後她的主要電性能已定型，晶片製造不對其產甞核本性改變，但在鍍膜、合金化過程中不恰當的條件會造成一些電參數的不良。比如說合金化溫度偏低或偏高都會造成歐姆接觸不良，歐姆接觸不良是晶片製造中造成正向壓降VF偏高的主要原因。在切割後，如果對晶片邊緣進行一些腐蝕工藝，對改善晶片的反向漏電會有較好的幫助。這是因為用金剛石砂輪刀片切割後，晶片邊緣會殘留較多的碎屑粉末，這些如果粘在LED晶片的PN結處就會造成漏電，甚至會有擊穿現象。另外，如果晶片表面光刻膠剝離不乾淨，將會造成正面焊線難與虛焊等情況。如果是背面也會造成壓降偏高。在晶片生產過程中通過表面粗化、劃成倒梯形結構等辦法可以提高光強。
光刻工序結束後還要通過合金化過程，合金化通常是在H2或N2的保護下進行。合金化的時間和溫度通常是根據半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。當然若是藍綠等晶片電極工藝還要複雜，需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。LED晶片製造主要是為了製造有效可靠的低歐姆接觸電極，並能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時儘可能多地出光。
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